本书是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的教材介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解技术的最新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。