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硅基应变半导体物理(研究生) 简介
本书共6章,主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容,重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型,并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习,可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。
本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书,也可供其他相关专业的学生参考。
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