本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件-负电容场效应晶体管（NC-FETs）的工作原理和设计优化进行了研究和探索。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件结构的提出、以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面，本书做出了一系列原创性的研究工作，可为从事新型半导体器件设计的技术人员提供参考。